1．N沟道VMOS绝缘栅场效应管的检测方法

    (1)先用万用表表笔将被测管的G、S极短接一下，将G极上的感应电荷泄放。将万用表置Rx1KΩ挡，黑表笔接S极，红表笔接D极，见图79(a)。

图79  VMOS绝缘栅场效应管好坏判别

    如测得的阻值为几千欧，再短接G、S极一次，交换表笔再测，若万用表指示“∞”，则说明VMOS管的D、S极间是好的。

    (2)用绝缘导线把G、S极连接起来，将万用表置Rx10KΩ挡，黑表笔接S极，红表笔接D极，见图79(b)。若万用表指示为几欧，则说明被测管放大能力很强。将万用表置Rx10KΩ挡，红表笔接S极，黑表笔接D极，阻值应接近无穷大，否则说明被测管内部PN结反向特性较差。

    (3)紧接上述步骤，拿掉G、S极之间的连接导线，表笔位置不动，万用表仍为电阻Rx10KΩ挡，把漏极D与栅极G短接一下(相当于给栅极G注入电荷)，然后再断开。此时测得的阻值应大幅度地减小并最终稳定在某一定值上。测得的阻值越小，说明该场效应管的跨导值越高，它的性能也就越好；否则，它的质量性能很差。

    (4)将万用表置Rx10tz挡，分别测量G—S正、反向阻值，见图79(c)。万用表指针都指在“∞”处，说明被测管子是好的，否则说明G极与D极、G极与S极漏电或已击穿损坏。

    2．检测注意事项

    (1)若测量的是P沟道VMOS绝缘栅场效应管，表笔位置对调一下，然后再按以上步骤进行检测即可。

    (2)以上测量仅对管内无保护二极管的VMOS绝缘栅场效应管适用。

    (3)在步骤(2)和(3)中，测阻值时，万用表用的电阻挡一定要选用Rx10KΩ的高阻挡。这是因为，在此挡表内电池提供的电压较高，前后两次测得的阻值变化比较明显。若选用其他挡位(如Rx1KΩ、Rx100Ω或Rx10Ω)，则因为表内电池提供的电压较低，而不能进行正常测试。

    (4)在测试的过程中，把栅极G和源极S短接这一步骤不能省略，否则，栅极G内残存的电荷将影响测试的结果，从而可能会作出错误的判断。