晶体三极管反向饱和电流的检测 admin    17/12/19

    1.晶体三极管反向饱和电流的特性

    集电极一基极反向饱和电流ICBO,是发射极开路时,基极和集电极之间加上规定的反向电压后集电极的反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数。良好的三极管,ICBO很小,小功率锗管的ICBO约为1—10uA,大功率锗管的ICBO可达数毫安,而硅管的ICBO则非常小,是毫微安级。

    对于锗管,温度每升高12℃,ICBO数值增加一倍;而对于硅管温度每升高8℃,ICBO数值增大一倍。虽然硅管的ICBO随温度变化更剧烈,但由于锗管的ICBO值本身比硅管大,所以锗管仍然是受温度影响较严重的管子。

    2.晶体三极管反向饱和电流的检测方法

    检测时,将万用表置Rx1KΩ挡,对于PNP三极管,红表笔接C极,黑表笔接B极,给集电结加反偏电压,测出的阻值便是集电结的反向阻值,见图62。

图62  PNP型三极管反向饱和电流ICBO检测

    万用表指针指示值为几百干欧或无穷大,此值越大就说明集电极反向饱和电流ICBO就越小,ICBO大的三极管反向漏电电流大,工作不稳定。对于NPN管,两表笔交换测试即可



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