锗三极管发射结的正向压降为0.1一0.3V，硅三极管发射接的正向压降为0.6一0.8V。根据这个特点，即可对锗管和硅管进行判断，测试线路见图59(a)。

图59(a)  电压法判别硅、锗三极管

    图中，电源为一节1.5V干电池，R为限流电阻，万用表的量程开关均放在直流电压2.5V挡。电路接通以后，万用表所指示的便是被测管子的发射结正向压降。若是锗管，该电压值为0.1一0.3Vl若是硅管，该电压值则为0.6一0.8V。

    用数字式万用表判别硅管与锗管较为方便，将万用表的量程拨至二极管挡，见图59(b)。测试管子基极和发射极的正向压降，硅管的正向压降一般为0.6一0.8V，锗管正向压降一般为0.1一0.3V。

图59(b)  电压法判别硅、锗三极管