1．硅三极管与锗三极管的特性

    早期的晶体管多数是由锗单晶制成的，包括二极管和三极管。后来由于硅单晶的诞生，且资源丰富及制造工艺适宜大规模生产，使得硅晶体管得到了发展和广泛使用，逐渐成为电子器件的主角。

    硅三极管与锗三极管的区别主要是结压降不同，锗管的正向压降较低约0.3V，硅管的正向压降较高约0.7V。还有就是锗半导体材料的电子迁移率高，适合低压大电流器件，但锗材料的温度特性比硅材料差得多，PN结的反向漏电电流远比硅材料PN结大，所以在大功率器件、高反压器件中，只得采用硅材料。

    在国产晶体三极管中，锗管大多为PNP型，硅管为NPN型，通过这个特征检测管型或从管壳上标的型号，便可判别出锗管和硅管。但对于进口三极管或管壳上型号较为模糊的，就必须经过检测才能判别。

    2．判别硅三极管与锗三极管的方法

    利用硅管和锗管的PN结正向电阻不一样这一特点(硅管大、锗管小)，可以很方便地判别硅三极管与锗三极管。

    对于PNP型三极管，将万用表置Rx1KΩ挡，红表笔接三极管基极，黑表笔分别接发射极、集电极，若阻值为几百欧，则为锗管，见图58(a)。

图58  电阻法判别硅、锗三极管

    对于NPN型三极管，万用表置Rx1KΩ挡，黑表笔接三极管基极，红表笔分别接发射极、集电极，若阻值4—8KΩ，则为硅管，见图58(b)。